第一、新型高频功率半导体器件：如功率MOSFET和IGBT已完全可代替功率晶体管和中小电流的晶闸管，使广安箱式变压器工作频率可达到 400kHz (AC-DC变换器)和1MHz (DC-DC变换器)，实现广安箱式变压器高频化有了可能。超快恢复功率二极管和MOSFET同步整流技术的开发， 也为研制高效低电压输出( ≤3 V)的广安箱式变压器创造了条件。
第二、软技术：PWM广安箱式变压器按硬模式工作，因而损耗大。广安箱式变压器高频化可以缩小体积重量，但损耗却更大了(功耗与频率成正比)。为此必须研究电压/电流波形不交叠的技术，即所谓零电压(ZVS)/零电流(ZCS)技术，或称软技术。
第三、技术：电流型及多环已得到较普遍应用;电荷，一周期http://wulanchabu.tjsdtl.com/，数字信号处理器等技术的开发及相应专用集成芯片的研制，使广安箱式变压器动态性能有很大提高，电路也大幅度简化。
第四、有源功率因数校正技术：由于输入端有整流元件和滤波电容，单相AC-DC广安箱式变压器及一大类整流广安箱式变压器供电的电子设备，其电网侧(输入端)功率因数仅为0.65。用有源功率因数校正技术(Active Power Factor Correction)，简称APFC，可提高到0.95-0.99，既治理了电网的谐波“污染”，又提高了广安箱式变压器的整体效率。单相APFC是DC- DC变换器拓扑和功率因数技术的具体应用，而三相APFC则是三相PWM整流拓扑和功率因数技术的结合。
第五、Magamp后置调节器技术：80年代，由于高频磁性材料， 如非晶态软磁合金(Amorphous)、超微晶软磁合金(Nano-crystalline alloy)等的发展，使有可能在多路输出的高频(>100 kHz)广安箱式变压器中用高频磁放大器(Magamp)，即可控饱和电感(Controlled Saturable Inductor)，作为其中一路输出的电压调节器(Output Regulator)，称为后置调节器(Post-regulator)。其优点是：电路简单、EMI小、可靠、高效，可较精确地调节输出电压。特别适合应用于输出电流为1安到几十安的广安箱式变压器。
第六、饱和电感技术：饱和电感是带铁心(无空隙)的线圈。其特点是：铁心的饱和程度和电感量随通过的电流大小而变。如果铁心磁特性是理想的(例如呈矩形)，则饱和电感工作时，类似一个。在广安箱式变压器中，应用饱和电感可以吸收浪涌、抑制尖峰、消除寄生振荡， 和快恢复整流管串联时可使整流管损耗减小。
